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首页> 外文期刊>Physica status solidi, B. Basic research >Site-selective deposition of single-wall carbon nanotubes by patterning self-assembled monolayer for application to thin-film transistors
【24h】

Site-selective deposition of single-wall carbon nanotubes by patterning self-assembled monolayer for application to thin-film transistors

机译：通过对自组装单分子层进行构图来对单壁碳纳米管进行定点沉积，以应用于薄膜晶体管

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We have demonstrated a site-selective deposition of uniform single-wall carbon nanotube (SWCNT) thin films on a SiO2/Si substrate using patterned self-assembled monolayers (SAMs). Non-polar octadecyltrichlorosilane (OTS) SAM was patterned by ultraviolet (UV) light through shadow mask. Then polar 3-aminopropyltriethoxysilane (APTES) SAM was selectively formed at the channel area of thin film transistors (TFTs). Finally, SWCNT thin films were selectively deposited on the TFT channel using these patterned SAMs. In this work, 25 TFTs were fabricated simultaneously on the same substrate using semiconductor-enriched SWCNTs (s-SWCNTs) solution. As a result, 23 TFTs showed high on/off current ratios over 104 without any post-treatment. It was confirmed that this method is useful to produce a large number of TFTs at a same time and applicable to the low cost production of SWCNT-integrated circuits in near future.
机译：我们已经证明了使用图案化的自组装单层膜（SAMs）在SiO2 / Si基底上进行选择性单壁碳纳米管（SWCNT）薄膜的位置选择性沉积。非极性十八烷基三氯硅烷（OTS）SAM通过荫罩通过紫外线（UV）进行构图。然后在薄膜晶体管（TFT）的沟道区选择性地形成极性3-氨丙基三乙氧基硅烷（APTES）SAM。最后，使用这些图案化的SAM将SWCNT薄膜选择性地沉积在TFT通道上。在这项工作中，使用富含半导体的SWCNT（s-SWCNT）溶液在同一基板上同时制造了25个TFT。结果，23个TFT在没有任何后处理的情况下显示出超过104的高导通/截止电流比。已经证实，该方法可用于同时生产大量的TFT，并且可在不久的将来应用于低成本生产SWCNT集成电路的方法。

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