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Pressure-induced electrical resistivity saturation of Fe17Si

机译：Fe17Si的压力感应电阻率饱和

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A large body of work has focused on resistivity saturation in systems where scattering is caused by impurities or by thermal effects. Electrical resistivity saturation is here classified as either static, where impurity scattering causes saturation, or dynamic, where changing external parameters such as temperature or pressure cause saturation. Resistivity measurements up to 5GPa show pressure-induced resistivity saturation in Fe17wt%Si by the change in sign from positive to negative of the temperature coefficient of resistivity. The pressure dependence of the Curie temperature is 10.2(8)KGPa(-1). The Debye temperature is calculated from the Bloch-Gruneisen equation and yields a pressure dependence of 40(9)KGPa(-1).
机译：大量的工作集中在由于杂质或热效应引起散射的系统中的电阻率饱和。电阻率饱和在这里分类为静态（其中杂质扩散导致饱和）或动态（其中温度或压力等外部参数变化导致饱和）。高达5GPa的电阻率测量结果表明，Fe17wt％Si中压力引起的电阻率饱和是通过电阻率温度系数的正负变化来实现的。居里温度的压力依赖性为10.2（8）KGPa（-1）。德拜温度是根据Bloch-Gruneisen方程计算得出的，其压力依赖性为40（9）KGPa（-1）。

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