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Optical absorption spectra of beta-FeSi2 under pressure

机译:β-FeSi2在压力下的光吸收光谱

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摘要

By a high pressure optical absorption experiment on epitaxially grown beta -FeSi2 on Si (001) substrate, it is reported that the evaluated linear pressure coefficient of the direct band gap is smaller than that of common semiconductors. [References: 14]
机译:通过在Si(001)衬底上外延生长的β-FeSi2上进行的高压光吸收实验,据报道,直接带隙的线性压力系数估算值小于普通半导体。 [参考:14]

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