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Hall effect data analysis of GaN n(+)n structures

机译：GaN n（+）n结构的霍尔效应数据分析

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We develop a model for analysis of Hall effect data of GaN structures composed of sublayers with different thicknesses and contacts placed on the top surface, We analysed the contributions of the conductivity of every sublayer of a planar sample taking into account the fact that the sample sublayers are partially connected in parallel to each other by series resistances formed in areas lying below the contacts from the upper layer. Correction factors, which reduce the contribution of the underlying layers to the measured whole sample conductivity, are obtained from the equations relevant to the respective equivalent circuit. [References: 6]
机译：我们开发了一个模型，用于分析由具有不同厚度的子层和顶部表面上的接触层组成的GaN结构的霍尔效应数据，考虑到样品子层的事实，我们分析了平面样品每个子层的电导率的贡献通过在位于上层的触点下方的区域中形成的串联电阻，它们的一部分彼此并联连接。从与相应的等效电路有关的方程式中获得校正因子，该校正因子减少了下层对测量的整个样品电导率的影响。 [参考：6]

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