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首页> 外文期刊>Physica status solidi, B. Basic research >Thickness dependence of the anisotropy of anodic sulphide films on CdxHg1-xTe studied using surface second harmonic generation
【24h】

Thickness dependence of the anisotropy of anodic sulphide films on CdxHg1-xTe studied using surface second harmonic generation

机译：使用表面二次谐波研究阳极硫化物薄膜对CdxHg1-xTe的各向异性的厚度依赖性

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The growth of anodic sulphide films on vicinal CdxHg1-xTe (CMT) surfaces has been investigated as a function of sulphide layer thickness by rotation anisotropy using second harmonic generation (SHG). The presence of than CdS films on the CMT surface does not alter the fourfold pattern observed for the bare CMT surface. However, with increasing sulphide film thickness (>100 nm) and for growth at constant potential, a drastic loss in the reflected SH intensity occurs. This reduction has been attributed to the formation and incorporation of beta-HgS in the layer at the more positive potentials. This compound absorbs the SH signal generated by the composite system of CMT/sulphide layer. [References: 13]
机译：通过使用二次谐波产生（SHG）通过旋转各向异性研究了在邻近CdxHg1-xTe（CMT）表面上阳极硫化物膜的生长与硫化物层厚度的关系。在CMT表面上存在CdS薄膜并不改变裸CMT表面上观察到的四重图案。但是，随着硫化物膜厚度（> 100 nm）的增加以及为了在恒定电势下生长，反射的SH强度会发生急剧损失。这种减少归因于在更正电势的层中β-HgS的形成和结合。该化合物吸收由CMT /硫化物层的复合系统产生的SH信号。 [参考：13]

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