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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Magnetic-field induced metal-insulator transition due to spin effects in Si/SiGe superlattices
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Magnetic-field induced metal-insulator transition due to spin effects in Si/SiGe superlattices

机译：Si / SiGe超晶格中的自旋效应引起的磁场感应金属-绝缘体跃迁

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A metal-insulator transition was induced by in-plane magnetic fields up to 27 T in homogeneously Sb-doped Si/SiGe superlattice structures. The localization is not observed for perpendicular magnetic fields. A comparison with magneto-conductivity investigations in the weakly localized regime shows that the localization originates from the disorder-induced spin-triplet term in the electron-hole quasi-particle channel. It is expected that this term is of general importance in disordered n-type Si bulk and heterostructures. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 22]
机译：在均匀掺杂Sb的Si / SiGe超晶格结构中，平面内磁场引起的金属-绝缘体跃迁高达27T。对于垂直磁场未观察到定位。与在弱局部状态下的磁导率研究进行的比较表明，该局部化源于电子-空穴准粒子通道中的无序诱导自旋三重态项。预期该术语在无序的n型Si块和异质结构中具有普遍意义。 （C）1998 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：22]

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