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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Magnetophonon and magneto-intersubband-scattering effects in InAs/AlGaSb heterostructures
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Magnetophonon and magneto-intersubband-scattering effects in InAs/AlGaSb heterostructures

机译：InAs / AlGaSb异质结构中的磁浮子和磁子带间散射效应

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Magnetoresistance of a two-dimensional electron gas in InAs/AlGaSb quantum wells with high and low carrier concentrations was measured for a wide range of temperatures. At high temperatures, a weak oscillation of the magnetoresistance with a fundamental field of B-0 approximate to 6.3 T was observed in the low carrier concentration samples, which is attributed to the magnetophonon resonances, while a combined oscillation of the magnetoresistance due to the magnetophonon and the magneto-intersubband-scattering effects was clearly observed in the high carrier concentration samples. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 11]
机译：在很宽的温度范围内，测量了载流子浓度高和低的InAs / AlGaSb量子阱中二维电子气的磁阻。在高温下，在低载流子浓度样品中观察到磁阻的弱振荡，其基本场的B-0约为6.3 T，这归因于磁浮子共振，而由于磁浮子引起的磁阻组合振荡在高载流子浓度样品中清晰地观察到了磁-子带间散射效应。 （C）1998 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：11]

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