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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Effect of valence band structure on the fractional quantum Hall effect of two-dimensional hole systems
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Effect of valence band structure on the fractional quantum Hall effect of two-dimensional hole systems

机译：价带结构对二维空穴系统的分数量子霍尔效应的影响

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We have studied the effect of the valence band structure on the fractional quantum Hall effect (FQHE) of two-dimensional hole systems (2D HS) in a symmetrically modulation-doped quantum well (QW). While keeping the hole density constant, we used front and back gates to vary the valence band structure in situ by changing the QW potential symmetry. The remarkable transitions we observed in the FQHE at v = 4/3 and 7/5 had a striking resemblance to the spin transitions reported for tilted-field experiments. We show that the effective g-factor determining the spin configuration of 2D HS in the FQHE is not a material-specific value, but reflects the valence band structure determined by the confinement potential of the 2D HS. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 19]
机译：我们已经研究了价带结构对对称调制掺杂量子阱（QW）中二维空穴系统（2D HS）的分数量子霍尔效应（FQHE）的影响。在保持空穴密度恒定的同时，我们使用前栅极和后栅极通过改变QW电位对称性来原位改变价带结构。我们在FQHE中在v = 4/3和7/5处观察到的显着跃迁与倾斜场实验报道的自旋跃迁具有惊人的相似之处。我们表明，确定FQHE中2D HS的自旋构型的有效g因子不是特定于材料的值，而是反映了由2D HS的限制势确定的价带结构。 （C）1998 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：19]

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