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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Tight binding calculation of electronic properties of ternary alloy ZnSxSe1-x
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Tight binding calculation of electronic properties of ternary alloy ZnSxSe1-x

机译：三元合金ZnSxSe1-x的电子性质的紧密结合计算

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Using an sp(3)s* empirical tight binding method, we calculate energy band gap and electronic band structure of the zinc-blende ternary alloy ZnSxSe1-x. The band gap composition is calculated using an extended version of the virtual crystal approximation, which introduce an empirical correction factor that takes into account the non-linear dependence of the band gap with the composition. The results compare well with the experimental data. The ionicity character and the refractive index are also calculated. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved. [References: 32]
机译：使用sp（3）s *经验紧密结合方法，我们计算了闪锌矿三元合金ZnSxSe1-x的能带隙和电子能带结构。使用虚拟晶体近似的扩展形式计算带隙成分，该方法引入了经验校正因子，该考虑因素考虑了带隙与成分的非线性相关性。结果与实验数据很好地比较。还计算出离子性和折射率。 （C）2003 Elsevier B.V.保留所有权利。 [参考：32]

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