...
首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Auger recombination in strained SixGe1-xSi superlattices
【24h】

Auger recombination in strained SixGe1-xSi superlattices

机译:应变SixGe1-xSi超晶格中的俄歇复合

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

A full scale microscopic calculation of Auger rates is performed on SixGe1-x/Si superlattice structures with widely different parameters. We show that Auger rates are reasonably independent of superlattice parameters with Auger rates of some two orders of magnitude larger than that of bulk silicon. Bandstructure is found to be the dominant factor in the calculation and a simple geometrical model is devised to investigate different types of structure. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 28]
机译:在具有广泛不同参数的SixGe1-x / Si超晶格结构上进行了俄歇速率的全尺寸微观计算。我们显示俄歇速率与超晶格参数基本无关,俄歇速率比块状硅大约两个数量级。发现带结构是计算的主要因素,并设计了一个简单的几何模型来研究不同类型的结构。 (C)1998 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考:28]

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号