...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >A study of concentration profiles of heat treated Cu/Ni thin films by Auger electron spectroscopy
【24h】

A study of concentration profiles of heat treated Cu/Ni thin films by Auger electron spectroscopy

机译：用俄歇电子能谱研究热处理过的Cu / Ni薄膜的浓度分布

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Concentration profiles of vacuum deposited Cu/Ni thin films annealed at the temperature interval 200-500degreesC have been investigated using Auger electron spectroscopy (AES) in combination with Ar+ ion sputtering. The experimental conditions used aimed at simulating those processes of typical-packaging fabrication. The results indicate that a significant diffusion of Ni in Cu layer exceeding 12 at% level has occurred due to annealing at 500degreesC for 5 min, at 400degreesC for 20 min, at 300degreesC for 80 min, and at 200degreesC for 180 min. It is concluded that the measured Ni concentrations represent the composite result of defect-assisted diffusion into grain interiors fostered by rapid grain-boundary diffusion. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 21]
机译：使用俄歇电子能谱（AES）结合Ar +离子溅射技术，研究了在200-500℃温度区间退火的真空沉积Cu / Ni薄膜的浓度分布。用于模拟典型包装制造过程的实验条件。结果表明，由于在500℃下退火5分钟，在400℃下退火20分钟，在300℃下退火80分钟，以及在200℃下退火180分钟，导致Ni在Cu层中的显着扩散超过12原子％。结论是，测得的Ni浓度代表了缺陷辅助扩散到晶粒内部快速扩散促进的晶粒内部的复合结果。 （C）2002 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：21]

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号