Hall effect in La(1.85)Sr(0.15)Cu(1-x)VxO(4+delta) system

Liu LH.; Che GC.; Zhao ZX.

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【24h】

Hall effect in La(1.85)Sr(0.15)Cu(1-x)VxO(4+delta) system

机译：La（1.85）Sr（0.15）Cu（1-x）VxO（4 + delta）系统中的霍尔效应

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The Hall effect has been measured in the V-doped La1.85Sr0.15Cu1-xVxO4+delta system for the temperature 50-300 K. In all samples 1/R-H varies linearly with temperature. Carrier density decreases as the V content x increases in a 1/x manner. T-c* (= T-c/T-c(max)) decreases with the increase of V content and can be roughly described as T-c* = [1 - C((1/R-H)(opt) - (1/R-H))(4)]. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved. [References: 12]

机译：在温度为50-300 K的V掺杂La1.85Sr0.15Cu1-xVxO4 + delta系统中测量了霍尔效应。在所有样品中，1 / R-H随温度线性变化。随着V含量x以1 / x的方式增加，载流子密度降低。 Tc *（= Tc / Tc（max））随着V含量的增加而降低，可以粗略地描述为Tc * = [1-C（（1 / RH）（opt）-（1 / RH））（4） ]。（C）2003 Elsevier B.V.保留所有权利。 [参考：12]

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来源
《Physica, B. Condensed Matter》 |2003年第3期|共4页
作者
Liu LH.; Che GC.; Zhao ZX.;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类物理学;
关键词
La-based cuprate; Effect of doping; Hall effect; Hole concentration; Perovskites;

机译：镧基铜酸盐;掺杂效应;霍尔效应;孔浓度;钙钛矿;

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