...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Identification of Ga interstitials in GaAlNP
【24h】

Identification of Ga interstitials in GaAlNP

机译：GaAlNP中Ga间隙的识别

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

New dilute nitride Ga1-xAlxNyP1-y alloys grown by gas-source molecular beam epitaxy have been studied by the optical detected magnetic resonance technique. Two paramagnetic defect centers with an effective electron spin S = 1/2 were observed and shown to involve Ga interstitials (denoted as Ga-i-A and Ga-i-B), both exhibiting the characteristic hyperfine (HF) structure from the two Ga isotopes. The HF interaction is shown to be nearly isotropic and rather strong, providing evidence for an A(l) symmetry of the electron wave function highly localized at the Ga atom. We tentatively attribute Ga-i-A and Ga-i-B to the interstitial sites surrounded by group-III and group-(V and 111) atoms, respectively. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved. [References: 12]
机译：通过光学探测磁共振技术研究了气源分子束外延生长的新型稀氮化物Ga1-xAlxNyP1-y合金。观察到两个具有有效电子自旋S = 1/2的顺磁缺陷中心，并显示它们涉及Ga间隙（分别表示为Ga-i-A和Ga-i-B），均表现出来自两个Ga同位素的特征性超细（HF）结构。 HF相互作用被证明是近乎各向同性的并且相当强，这提供了高度局限在Ga原子上的电子波函数的A（l）对称性的证据。我们暂时将Ga-i-A和Ga-i-B分别归因于被第III组和第（V和111）个原子包围的间隙位置。 （C）2003 Elsevier B.V.保留所有权利。 [参考：12]

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号