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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Anti-site pair in SiC: a model of the D-I center
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Anti-site pair in SiC: a model of the D-I center

机译：SiC中的反位对：D-I中心的模型

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The D-1 low-temperature photoluminescence center is a well-known defect stable up to 1700degreesC annealing in SiC, still its structure is not known after decades of study. Combining experimental and theoretical studies in this paper we will show that the properties of an anti-site pair can reproduce the measured one-electron level position and local vibration modes of the D-1 center and the model is consistent with other experimental findings as well. We give theoretical values of the hyperfine constants of the anti-site pair in its paramagnetic state as a means to confirm our model. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved. [References: 27]
机译：D-1低温光致发光中心是众所周知的缺陷，可在SiC中退火至1700°C时保持稳定，但几十年来的研究仍不清楚其结构。结合实验和理论研究，我们将显示反位点对的特性可以重现D-1中心的测得的单电子能级位置和局部振动模式，并且该模型也与其他实验结果一致。我们给出反位点对在其顺磁性状态下的超精细常数的理论值，作为确认模型的一种手段。 （C）2003 Elsevier B.V.保留所有权利。 [参考：27]

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