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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Oxygen precipitation kinetics of Czochralski silicon preannealed under high pressure
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Oxygen precipitation kinetics of Czochralski silicon preannealed under high pressure

机译：高压下预退火的切克劳斯基硅的氧析出动力学

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The formation of the denuded zone (DZ) in Czochralski silicon preannealed under high pressure was systematically investigated. It was found that the DZ could not form in those specimens. It is considered that the oxygen precipitates generated during preannealing under high pressure are more stable than those grown under atmosphere, so that the oxygen precipitates in the region close to the surface area could not dissociate at the first high-temperature annealing of intrinsic gettering (IG), but grew during the subsequent IG process. The results were also confirmed by the experiments of transmission electron microscopy. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved. [References: 14]
机译：系统研究了在高压下预先退火的切克劳斯基硅中的剥蚀区（DZ）的形成。发现在这些样品中不能形成DZ。认为在高压下的预退火过程中产生的氧析出物比在大气中生长的氧析出物更稳定，因此靠近表面区域的氧析出物在本征吸气（IG）的第一次高温退火中不会离解。 ），但在随后的IG过程中有所增长。透射电子显微镜的实验也证实了该结果。 （C）2003 Elsevier B.V.保留所有权利。 [参考：14]

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