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X-ray reflectivity studies of ferroelectric and dielectric multilayer structures

机译：铁电和介电多层结构的X射线反射率研究

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Dielectric and ferroelectric thin-film capacitors are of great importance as dynamic random-access memories (DRAM) and non-volatile random-access memories (NVRAM) for storage technology applications. Further improvements of the electrical performance of these devices require particularly a better control of thin-film engineering, since nanoscale layers of complex stoichiometry are subjected to relatively high-thermal budgets during the integration process. X-ray specular and diffuse reflectivity can provide valuable insight into current material problems of this field, e.g. structural changes and the possibility of interfacial reactions. An example is given for the annealing of thin Pb(Zr0.3Ti0.7)O-3 (PZT) films on Pt/Ti-based layered electrodes. The correlation of electrical function and structural changes subsequent to electrical stress requires in situ investigations under applied electric fields. We report first experiments on Pt/PZT/Pt/Ti-films and discuss the setup of electrical in situ measurements under grazing incidence. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：介电和铁电薄膜电容器作为动态随机存取存储器（DRAM）和非易失性随机存取存储器（NVRAM）对于存储技术应用至关重要。这些设备的电气性能的进一步改善特别需要对薄膜工程进行更好的控制，因为复杂的化学计量的纳米级层在集成过程中要承受相对较高的热预算。 X射线镜面反射和漫反射率可以提供有关该领域当前材料问题的宝贵见解，例如结构变化和界面反应的可能性。给出了在基于Pt / Ti的层状电极上退火Pb（Zr0.3Ti0.7）O-3（PZT）薄膜的示例。电功能与电应力后结构变化之间的关系需要在施加电场下进行原位研究。我们报告了对Pt / PZT / Pt / Ti膜的首次实验，并讨论了在掠入射下电原位测量的设置。 （C）2004 Elsevier B.V.保留所有权利。

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