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Electron confinement in (ordered)GaInP2/GaAs/(ordered)GaInP2 single quantum well

机译：GaInP2 / GaAs / GaInP2有序单量子阱中的电子约束

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Quantum confinement of electrons in a series of undoped (ordered)GaInP2/GaAs/(ordered)GaInP2 single quantum well (QW) samples was studied by magnetophotoluminescence measurements. The electron confinement is observed only in the sample with two thin GaP barriers inserted on both sides of the GaAs QW. The excitonic photoluminescence peak related to the transition between confined electron and hole states does not exactly obey the B cos(Theta) law in the tilted magnetic field which is explained by the quasi-two-dimensional nature of electrons confined in the well by partially transmitting GaP barriers. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 10]
机译：通过磁光致发光测量研究了一系列未掺杂（有序）GaInP2 / GaAs /（有序）GaInP2单量子阱（QW）样品中电子的量子约束。仅在样品中观察到电子限制，在样品中在GaAs QW的两侧插入了两个薄的GaP势垒。与受限电子和空穴状态之间的跃迁相关的激子光致发光峰在倾斜磁场中并不完全服从B cos（θ）定律，这可以通过限制电子在空穴中的准二维性质来解释。 GaP壁垒。 （C）1998 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：10]

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