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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Band structure of beta-HgS from Shubnikov-de Haas effect
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Band structure of beta-HgS from Shubnikov-de Haas effect

机译：Shubnikov-de Haas效应的β-HgS的能带结构

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The Shubnikov-de Haas oscillations were measured in zinc-blende Hg0.98TM0.02S (TM = Co, Mn, Fe) at temperatures ranging from 1.6 to 30 K, in magnetic fields up to 13 T. From standard harmonic analysis the values of the effective masses at the Fermi level versus electron concentration were determined. The analysis of this dependence within the frame of Kane model for narrow-band semiconductors yielded a low temperature value for energy gap E-0 = -0.110 eV +/- 0.040 eV and momentum matrix element P = 7.1 x 10(-8) eV cm +/- 0.2 x 10(-8) eV cm. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 8]
机译：Shubnikov-de Haas振荡是在闪锌矿Hg0.98TM0.02S（TM = Co，Mn，Fe）中在1.6至30 K的温度范围内，高达13 T的磁场中测量的。根据标准谐波分析，确定费米能级相对于电子浓度的有效质量。在Kane模型框架内对窄带半导体的这种依赖性的分析得出了能隙E-0 = -0.110 eV +/- 0.040 eV和动量矩阵元素P = 7.1 x 10（-8）eV的低温值厘米+/- 0.2 x 10（-8）eV厘米。 （C）1998 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：8]

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