In den letzten Jahrzehnten folgte die Siliziumtechnologie ohne signifikante Verzogerungen dem Moore-schen Gesetz: Die elektronischen Schaltkreise wurden verkleinert und damit ihre Geschwindigkeit entspre-chend erhoht. Inzwischen trifft die Strukturverklei-nerung allerdings an physikallsche Grenzen, sodass neue Materialien sowie innovative Integrations- und Bauelementkonzepte notwendig sind, um das Mooresche Gesetz weiterhin zu erfullen.
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