Tunneling(Electronics); Diodes; Resonance; Reprints;
机译:高电流密度的Si-InAs异质结Esaki隧道二极管
机译:太赫兹波应用中高电流密度谐振隧穿二极管的谷值电流表征
机译:生长温度对GaN / AlN基于谐振隧穿二极管电性能的影响,峰值电流密度高达1.01mA / cm2
机译:超高电流密度,低峰值电压,伪晶型In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / AlAs / InAs谐振隧道二极管
机译:INAS / GASB隧道二极管
机译:电学和光学特性对AlAs / In0.53Ga0.47As / InAs共振隧穿二极管中生长中断的依赖性
机译:用于太赫兹波应用的高电流密度谐振隧穿二极管的谷电流特性
机译:用于量子信息处理的低密度Inas / Gaas量子点(QD)的生长和表征