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机译:采用反向体偏置(RBB)的高达400°C高温的pD-sOI CmOs技术的模拟电路设计
Schmidt Alexander;
机译:使用反向体偏置增强模拟电路中PD-SOI MOSFET的高温性能
机译:采用0.18微米CMOS技术的MOS晶体管的EKV3紧凑模型,用于低温混合数字电路设计
机译:纳米技术设计的直流模拟CMOS电路的多次软故障诊断
机译:PD-SOI CMOS技术中采用反向体偏置的高温模拟电路设计
机译:CMOS技术中的双极性器件表征和设计,用于设计高性能低成本BiCMOS模拟集成电路
机译:用于片上温度监控的CMOS-SOI集成温度感测电路的研究
机译:PD-SOI有源偏置电路的比较分析
机译:用于表征设计为以部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)技术实现的CMOS逻辑单元的方法和装置
机译:使用CMOS技术和反向偏置光电二极管的有源像素传感器
机译:用于400G光纤链路的自偏置双模差分CMOS TIA
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