机译:垂直双注入4H-SiC MOSFET在高温下的沟道迁移率和导通电阻
机译:高能(15MeV)质子辐照对垂直功率4H-SiC MOSFET的影响
机译:高能(15MEV)质子辐射对垂直功率4H-SiC MOSFET的影响
机译:垂直高压GaN功率MOSFET的性能预测以及与4H-SiC功率MOSFET的比较
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:上颌后牙畸形对有或没有骨骼开放性咬合的受试者的上磨牙垂直位置和面部垂直尺寸的影响
机译:采用三维栅极结构增强4H-SiC MOSFET的漏极电流
机译:4H-sIC垂直D-mosfet的脉冲功率开关及器件表征