首页> 外国专利> Power MOSFET for motor vehicle technology has vertical power MOSFET in semiconductor body with adjacent temperature sensor over insulation filled cavity

Power MOSFET for motor vehicle technology has vertical power MOSFET in semiconductor body with adjacent temperature sensor over insulation filled cavity

机译：用于汽车技术的功率MOSFET在半导体本体中具有垂直功率MOSFET，在绝缘填充的腔体上具有相邻的温度传感器

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

A power MOSFET comprises a vertical MOSFET in a semiconductor body (1) with an adjacent temperature sensor. The semiconductor body has an enhanced heat resistance below the sensor. Preferably this arises through a cavity (17) in the body below the sensor that is filled with insulator.

机译：功率MOSFET包括在半导体主体（1）中的垂直MOSFET，其具有相邻的温度传感器。半导体本体在传感器下方具有增强的耐热性。优选地，这是通过在传感器下方的主体中的充满绝缘体的空腔（17）产生的。

著录项

公开/公告号DE102004009082A1

专利类型
公开/公告日2005-09-22

原文格式PDF
申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;
展开▼

申请/专利号DE20041009082
发明设计人 TIHANYI JENOE;
展开▼

申请日2004-02-25
分类号H01L29/78;H01L25/16;
国家 DE
入库时间 2022-08-21 22:00:54

相似文献

专利
外文文献
中文文献