机译:起始测量电压相对于平带电压位置的变化对电容电压滞后以及InGaAs /高k金属氧化物半导体叠层的缺陷表征的影响
机译:Si界面控制层控制的高k / GaAs界面的电容电压和光致发光研究
机译:电容电压滞后研究InGaAs金属氧化物半导体器件上沉积的Al_2O_3和HfO_2高k电介质中氧化物缺陷能级的分布
机译:GaAs-氧化物界面的电容-电压(CV)表征
机译:在InAs(100)和GaAs(100)表面上高k金属氧化物原子层沉积过程中的表面化学和界面演化。
机译:电子束法表征MOCVD InGaP / GaAs结中界面处多余层的化学性质
机译:接口和边界陷阱对IngaAs MOSFET中电流电压,电容 - 电压和分裂 - CV移动性测量的影响
机译:mOCVD生长的Gaas异质结太阳能电池中alGaas / Gaas界面的正电子湮没光谱