机译:NBT应力p沟道功率VDMOSFET中阈值电压漂移的可恢复和永久分量分析
机译:伽马射线响应对商用P通道功率VDMOSFET的阈值电压漂移的影响
机译:伽马射线引起的效应负责商用p沟道功率VDMOSFET的阈值电压漂移
机译:脉冲NBT应力P沟道功率VDMOSFET中阈值电压漂移的建模
机译:使用Angelov模型在PSpice中对碳化硅(SIC)垂直结场效应晶体管(VJFET)进行紧凑建模,并使用SIC VJFET模型对PSpice模拟电路构建模块进行仿真。
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:VDmOs晶体管中NBTI效应的建模和pspICE仿真