机译:薄膜Cu(IN,Ga)(Se,S)2的太阳能电池的Zn(S,O,OH)/ ZnMgo缓冲液部分II:ZnMGO缓冲层的磁控溅射,用于在线共蒸发的Cu (在,Ga)Se2solar细胞
机译:薄膜基于Cu(In,Ga)(Se,S)_2的太阳能电池中的Zn(S,O,OH)/ ZnMgO缓冲液第二部分:用于共蒸镀铜的ZnMgO缓冲层的磁控溅射(In,Ga)Se_2太阳能电池
机译:薄膜基于Cu(In,Ga)(Se,S)_2的太阳能电池中的Zn(S,O,OH)/ ZnMgO缓冲液第二部分:用于共蒸镀铜的ZnMgO缓冲层的磁控溅射(In,Ga)Se_2太阳能电池
机译:薄膜基于Cu(In,Ga)(S,Se)2的太阳能电池中的Zn(S,O,OH)/ ZnMgO缓冲液第一部分:Zn(S,O,OH)缓冲层的快速化学浴沉积共蒸发Cu(In,Ga)Se_2和电沉积CuIn(S,Se)_2太阳能电池的工业应用
机译:硫化物铟作为Cu(INGA)SE {SEE 2的太阳能电池中的缓冲层的磁控溅射
机译:TiO2作为Cu(In,Ga)SE2太阳能电池中的中间缓冲层
机译:异质结太阳能电池中间缓冲层的Cu掺杂对半导体ZnTe薄膜中p型载流子的显着影响和带隙的减小
机译:用于Cu(In,Ga)Se2solar细胞中的Zn(O,S)缓冲层的新硫化物前体,用于更快的反应动力学
机译:基于Znse和ZnO缓冲层的多晶薄膜CuInse(sub 2)太阳能电池的研究。最终报告,1992年2月16日 - 1995年11月15日