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一种新的Cu(InGa)Se2薄膜太阳电池缓冲层制备方法

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一种新的Cu(InGa)Se2(简称CIGS)薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，此制备方法采用先对CIGS吸收层表面进行刻蚀处理，再沉积缓冲层，其中缓冲层由In2S3和CdS构成，In2S3由化学溅射热解(CSP)法沉积，CdS层由化学水浴法沉积(CBD)制备，在CBD法沉积CdS时，溶液中加入了阳离子体系消泡剂。这种方法制备的缓冲层不但对CIGS吸收层的覆盖度高，晶粒致密，无针孔，而且缓冲层表面呈镜面状。用它制备的CIGS薄膜太阳电池具有高的开路电压，高的填充因子和短路电流密度，高的光电转换效率和高的器件可靠性。

著录项

公开/公告号CN103296131A

专利类型发明专利
公开/公告日2013-09-11

原文格式PDF
申请/专利权人任丘市永基光电太阳能有限公司;
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申请/专利号CN201210054340.3
发明设计人马格林;张建柱;孙玉娣;彭博;
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申请日2012-03-05
分类号H01L31/18(20060101);
代理机构
代理人
地址 062550 河北省任丘市永丰路办事处丰收路北
入库时间 2023-06-18 09:29:25

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-05-25

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20130911 申请日:20120305

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-01-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20120305

实质审查的生效
2013-09-11

公开

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