机译:193nm顶表面成像工艺的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能
机译:193nm抗蚀剂的进展:开发工艺对含酐抗蚀剂材料的影响
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机译:不同工艺条件对193nm和157nm抗蚀剂的线边缘粗糙度的影响
机译:电子束光刻光刻胶的研制与应用。
机译:溶胶-凝胶法制备的云母基板上HfO2薄膜的电阻转换特性
机译:193nm顶表面成像过程的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能。
机译:高阻高磁化软薄膜的研制及薄膜电感的制作