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首页> 外文OA文献 >Valence band offset in heterojunctions between crystalline silicon and amorphous silicon (sub)oxides (a-SiOx:H, 0 < x < 2)
【2h】

Valence band offset in heterojunctions between crystalline silicon and amorphous silicon (sub)oxides (a-SiOx:H, 0 < x < 2)

机译：晶体硅和非晶硅（亚）氧化物之间的异质结的价带偏移（A-SiOx：H，0

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The heterojunction between amorphous silicon sub oxides a SiOx H, 0 amp; 8201; amp; 8201;x amp; 8201; amp; 8201;2 and crystalline silicon c Si is investigated. We combine chemical vapor deposition with in system photoelectron spectroscopy in order to determine the valence band offset amp; 916;EV and the interface defect density, being technologically important junction parameters. amp; 916;EV increases from amp; 8776;0.3 amp; 8201;eV for the a Si H c Si interface to 4 amp; 8201;eV for the a SiO2 c Si interface, while the electronic quality of the heterointerface deteriorates. High bandgap a SiOx H is therefore unsuitable for the hole contact in heterojunction solar cells, due to electronic transport hindrance resulting from the large amp; 916;EV. Our method is readily applicable to other heterojunctions
机译：非晶硅亚氧化物在SiOx H，0放大器之间的异质结; 8201; LT; amp; 8201; x amp; 8201; LT; amp; 8201; 2和结晶硅C Si进行了研究。我们将化学气相沉积与系统光电子光谱相结合，以确定价带偏移放大器; 916; EV和界面缺陷密度，在技术上重要的结参数参数。 amp; 916; EV从AMP增加; 8776; 0.3安培; 8201;对于GT的Si H C SI接口EV; 4放大; 8201;对于SiO2 C SI接口的EV，而异待遇面的电子质量劣化。因此，高带隙SiOx H由于大AMP而导致的电子传输阻碍，因此不适合异质结太阳能电池中的孔接触; 916; EV。我们的方法很容易适用于其他异电

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