机译:230-270 nm AlGaN基深紫外LED的开发
机译:230-270 nm AlGaN基深紫外LED的开发
机译:Milliwatt Power 333 NM基于Algan的紫外线LED在蓝宝石基板上
机译:在蓝宝石上使用高质量AlN开发基于AlGaN的深紫外LED
机译:晶格匹配InxAl 1-xN与GaN的Vegard定律的验证以及用于深紫外LED的AlxGa1-xN / AlN的MOCVD生长
机译:ITO / Ga2O3 / Ag / Ga2O3透明导电电极的AlGaN基紫外LED的制备和表征
机译:控制用于深UV LED的alN和高al含量alGaN基mQW的二维生长
机译:利用先进的半导体定位技术表征深紫外和深绿LED中的失效模式。