机译:对称双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道掺杂相关分析模型。二。从亚阈值到反转区域的连续漏极电流模型
机译:对称双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道掺杂相关分析模型。二。从亚阈值到反转区域的连续漏极电流模型
机译:对称双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道掺杂相关分析模型。一,亚阈值特征的提取
机译:具有有机半导体通道的发光场效应晶体管的器件模型
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:通过转移技术将有机纳米纤维整合到场效应晶体管器件中
机译:使用晶体管沟道内的有机异质结构的发光有机场效应晶体管
机译:增强肖特基势垒InGaas / al(x)Ga(1-X)作为应变通道调制掺杂场效应晶体管的表征