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Semiconductor Processing: Novel Hybrid Organic-Inorganic Spin-on Resist for Electron- or Photon-Based Nanolithography with Outstanding Resistance to Dry Etching (Adv. Mater. 43/2013)

机译：半导体加工：用于基于电子或光子的纳米线的新型杂化有机无机旋转抗蚀剂，其具有突出的干蚀刻耐受性（ADV。Mater。43/2013）

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作者
Erika Zanchetta; Gioia Della Giustina; Gianluca Grenci; Alessandro Pozzato; Massimo Tormen; Giovanna Brusatin;
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年度 2013
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专利

1. Thin Resist Process having High Dry Etching Resistance in 0.13um KrF Lithography [C] . Minoru Watanabe, Suguru Sasaki, Sachiko Yabe, Advances in Resist Technology and Processing XVIII . 2001

机译：在0.13um KrF光刻中具有高抗干蚀性的薄抗蚀剂工艺
2. Novel Hybrid Organic-Inorganic Spin-on Resist for Electron- or Photon-Based Nanolithography with Outstanding Resistance to Dry Etching [O] . Erika Zanchetta, Gioia Della Giustina, Gianluca Grenci, 2014

机译：基于电子或光子的纳米线的新型杂化有机无机抗抗蚀剂，其具有突出的干蚀刻

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