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Large Area Deposition of MoS2 by Pulsed Laser Deposition with In-Situ Thickness Control

机译：原位厚度控制的脉冲激光沉积大面积沉积MoS2

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A scalable and catalyst-free method to deposit stoichiometric Molybdenum Disulfide (MoS2) films over large areas is reported with the maximum area limited by the size of the substrate holder. The method allows deposition of MoS2 layers on a wide range of substrates without any additional surface preparation including single crystals (sapphire and quartz), polycrystalline (HfO2), and amorphous (SiO2). The films are deposited using carefully designed MoS2 targets fabricated with excess of sulfur (S) and variable MoS2 and S particle size. Uniform and layered MoS2 films as thin as two monolayers, with an electrical resistivity of 1.54 × 104 Ω cm-1 were achieved. The MoS2 stoichiometry was as confirmed by High Resolution Rutherford Backscattering Spectrometry (HRRBS). With the method reported here, in situ graded MoS2 films ranging from ~1 to 10 monolayers can also be deposited.
机译：据报道，一种可扩展且无催化剂的方法可在大面积上沉积化学计量的二硫化钼（MoS2）薄膜，最大面积受基材支架尺寸的限制。该方法允许在各种衬底上沉积MoS2层，而无需任何其他表面处理，包括单晶（蓝宝石和石英），多晶（HfO2）和非晶（SiO2）。使用精心设计的MoS2靶沉积薄膜，该靶由过量的硫（S）和可变的MoS2和S粒径制成。获得了均匀且分层的MoS2薄膜，其厚度薄至两个单层，电阻率为1.54×104Ωcm-1。 MoS2的化学计量已通过高分辨率卢瑟福背散射光谱（HRRBS）确认。使用此处报道的方法，也可以沉积约1至10个单层的原位渐变MoS2膜。

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