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Characterization of GaN Nanorods Fabricated Using Ni Nanomasking and Reactive Ion Etching: A Top-Down Approach

机译：使用镍纳米掩模和反应性离子刻蚀制造的GaN纳米棒的表征：自顶向下方法

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Large thermal mismatch between GaN surface and sapphire results in compressive stress in Gallium Nitride (GaN) layer which degrades the device performance. Nanostructuring the GaN can reduce this stress leading to reduction in Quantum Confined Stark Effect. Aligned GaN nanorods based nanodevices have potential applications in electronics and optoelectronics. This paper describes the fabrication of GaN nanorods using Ni nanomasking and reactive ion etching. The morphology of GaN nanorods was studied by field emission scanning electron microscopy. The optical properties of GaN nanorods were studied by Cathodoluminescence (CL) spectroscopy. CL results revealed the existence of characteristic band-edge luminescence and yellow band luminescence.When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30991
机译：GaN表面和蓝宝石之间的较大热失配会导致氮化镓（GaN）层中的压缩应力，从而降低器件性能。 GaN的纳米结构化可以减少这种应力，从而导致量子限制斯塔克效应的降低。基于对准的GaN纳米棒的纳米器件在电子和光电子领域具有潜在的应用。本文介绍了使用Ni纳米掩模和反应离子刻蚀制造GaN纳米棒的方法。通过场发射扫描电子显微镜研究了GaN纳米棒的形貌。 GaN纳米棒的光学性能通过阴极发光（CL）光谱进行了研究。 CL结果表明存在特征性的带状边缘发光和黄色带状发光。当您引用该文档时，请使用以下链接http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30991

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