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机译:植入4H-SiC中的高浓度铝的电活化
Negoro Y; Kimoto T; Matsunami H; Schmid F; Pensl G;
机译:铝p注入退火对4H-SiC n-epi上横向MOSFET晶体管的电影响
机译:4H-SiC中的铝注入:物理和电学性质
机译:准分子激光退火对4H-SiC中离子注入的氮和铝的电活化
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机译:植入P型4H-SIC铝受体激活和充电补偿
机译:高铝摩尔分子硅注入氮化铝镓的电学活化研究2。论文
机译:以线和带形式存在的铝或铝合金电导体的连续涂层包括使铝导体脱脂,在碱性浴中活化表面或涂覆所需的涂层
机译:通过热注入和纳米级退火使铟铝镓氮化物系统中的掺杂剂高活化
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