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Screw dislocation-induced growth spirals as emissive exciton localization centers in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells

机译：富铝AlGaN / AlN量子阱中以螺丝位错引起的生长螺旋为发射激子的定域中心

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Screw dislocations in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells cause growth spirals with an enhanced Ga incorporation, which create potential minima. Although screw dislocations and their surrounding potential minima suggest non-radiative recombination processes within growth spirals, in reality, screw dislocations are not major non-radiative sinks for carriers. Consequently, carriers localized within growth spirals recombine radiatively without being captured by non-radiative recombination centers, resulting in intense emissions from growth spirals.
机译：富Al的AlGaN / AlN量子阱中的螺旋位错会导致生长螺线与增加的Ga掺入，从而产生潜在的极小值。尽管螺丝位错及其周围的潜在最小值显示出生长螺旋内的非辐射重组过程，但实际上，螺丝位错并不是载体的主要非辐射沉。因此，位于生长螺旋内的载流子通过辐射重组，而未被非辐射复合中心捕获，从而导致生长螺旋产生强烈的发射。

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