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Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US
Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US
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1.
TRANSIENT CAPACITANCE CHARACTERIZATION OF DEEP LEVELS IN UNDOPED AND Si-DOPED GaN
机译:
未掺杂和掺硅的GaN中深层的瞬态电容表征
作者:
S. Nakamura
;
P. Liu
;
M. Suharra
;
T. Okumura
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
2.
Thermal Boundary Resistance and Heat Diffusion in AlGaN/GaN HFETs
机译:
AlGaN / GaN HFET中的热边界电阻和热扩散
作者:
Konstantin A. Filippov
;
Alexander A. Balandin
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
3.
The Investigation of Preferred Orientation Growth of ZnO Films on the Ceramic Substrates
机译:
陶瓷基体上ZnO薄膜择优取向生长的研究
作者:
Sheng-Yuan Chu
;
Te-Yi Chen
;
Walter Water
;
Tung-Yi Huang
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
4.
The Refractive Index and Other Properties of Doped ZnO films
机译:
掺杂ZnO薄膜的折射率及其他性能
作者:
A. L. Cai
;
J. F. Muth
;
H. L. Porter
;
A. Kvit
;
J. Narayan
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
5.
TEM Studies and Contact Resistance of Au/Ni/Ti/Ta-GaN Ohmic Contacts
机译:
TEM研究和Au / Ni / Ti / Ta / n-GaN欧姆接触的接触电阻
作者:
D.N. Zakharov
;
Z. Liliental-Weber
;
A. Motayed
;
S.N. Mohammad
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
6.
Structural Properties of Free-Standing 50 mm Diameter GaN Wafers with (1010) Orientation Grown on LiAlO_2
机译:
LiAlO_2上生长(1010)取向的自立式50 mm直径GaN晶片的结构特性
作者:
Jacek Jasinski
;
Zuzanna Liliental-Weber
;
Herbert-Paul Maruska
;
Bruce H. Chai
;
David W. Hill
;
Mitch M. C. Chou
;
John J. Gallagher
;
Stephen Brown
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
7.
Silicon Carbide Power Devices and Processing
机译:
碳化硅功率器件和处理
作者:
J.B. Casady
;
J.R. Bonds
;
W.A. Draper
;
J.N. Merrett
;
I. Sankin
;
D. Seale
;
M.S. Mazzola
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
8.
Solar Blind (Al,Ga)N Metal-Semiconductor-Metal Devices for High Performance Flame Detection
机译:
用于高性能火焰检测的日盲(Al,Ga)N金属-半导体金属器件
作者:
Mauro Mosca
;
Jean-Luc Reverchon
;
Nicolas Grandjean
;
Franck Omnes
;
Jean-Yves Duboz
;
Isabelle Ribet
;
Michel Tauvy
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
9.
Surface Acoustic Waves And Guided Optical Waves In AlGaN Films
机译:
AlGaN膜中的表面声波和导波
作者:
Gang Bu
;
Daumantas Ciplys
;
Michael Shur
;
Remis Gaska
;
Qhalid Farced
;
Romualdas Rimeika
;
Jinwei Yang
;
Asif Khan
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
10.
Novel Oxides for Passivating AlGaN/GaN HEMT and Providing Low Surface State Densities at Oxide/GaN Interface
机译:
用于钝化AlGaN / GaN HEMT并在氧化物/ GaN界面处提供低表面态密度的新型氧化物
作者:
F. Ren
;
B. Luo
;
J. Kim
;
R. Mehandru
;
B. P. Gila
;
A. H. Onstine
;
C. R. Abernathy
;
S. J. Pearton
;
R. Fitch
;
J. Gillespie
;
T. Jenkins
;
J. Sewell
;
D. Via
;
A. Crespo
;
Y. Irokawa
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
11.
Optical and Electrical Characterization of Annealed Silicon-implanted GaN
机译:
退火硅注入GaN的光电特性
作者:
H. T. Wang
;
L.S. Tan
;
E. F. Chor
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
12.
Optical and Structural Investigation of AlN Grown on Sapphire with Reactive MBE Using RF Nitrogen or Ammonia
机译:
用射频氮或氨在具有反应性MBE的蓝宝石上生长的AlN的光学和结构研究
作者:
F. Yun
;
L. He
;
F. Xiu
;
H. Morkoc
;
S. Bai
;
Y. Shishkin
;
R. P. Devaty
;
W. J. Choyke
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
13.
Low ohmic contact resistance of GaN by employing XeCl excimer laser
机译:
使用XeCl准分子激光器实现GaN的低欧姆接触电阻
作者:
Seung-Chul Lee
;
Jin-Cherl Her
;
Sang-Myun Han
;
Kwang-Seok Seo
;
Min-Koo Han
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
14.
Large Area 6H- and 4H-SiC Photoconductive Switches
机译:
大面积6H和4H-SiC光电导开关
作者:
S. Dogan
;
F. Yun
;
C. B. Roberts
;
J. Parish
;
D. Huang
;
R. E. Myers
;
M. Smith
;
S. E Saddow
;
B. Ganguly
;
H. Morkoc
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
15.
Laser Direct-Metallization of Silicon Carbide without Metal Deposition
机译:
无需金属沉积的碳化硅的激光直接金属化
作者:
I.A. Salama
;
A. Kar
;
N.R. Quick
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
16.
Influence of Indium Incorporation on Recombination Dynamics in AlInGaN Layers Grown by Pulsed Metal Organic Chemical Vapor Deposition
机译:
铟的掺入对脉冲金属有机化学气相沉积生长的AlInGaN层中复合动力学的影响
作者:
Jae Ho Song
;
Jhang W. Lee
;
P.W.Yu
;
Mee-Yi Ryu
;
J. Zhang
;
E. Kuokstis
;
J. W. Yang
;
M. Asif Khan
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
17.
High-Performance AlGaN-Based Visible-Blind Resonant Cavity Enhanced Schottky Photodiodes
机译:
高性能基于AlGaN的可见盲谐振腔增强型肖特基光电二极管
作者:
Ibrahim Kimukin
;
Necmi Biyikli
;
Tolga Kartaloglu
;
Orhan Aytuer
;
Ekmel Ozbay
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
18.
High Reflectivity AlGaN/GaN Bragg Mirrors Grown by MOCVD for Microcavities Applications
机译:
MOCVD生长的微腔应用高反射率AlGaN / GaN Bragg反射镜
作者:
M. Moret
;
S. Ruffenach
;
O. Briot
;
B. Gil
;
R.L. Aulombard
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
19.
Barrier material improvement in AlGaN/GaN microwave transistors under gamma irradiation treatment
机译:
γ辐照处理下AlGaN / GaN微波晶体管的势垒材料改进
作者:
S.A.Vitusevich
;
M.V.Petrychuk
;
N. Klein
;
S.V.Danylyuk
;
A.E.Belyaev
;
R.V.Konakova
;
A. Yu. Avksentyev
;
A.M.Kurakin
;
P.M.Lytvyn
;
B.A.Danilchenko
;
V. Tilak
;
J. Smart
;
A. Vertiatchikh
;
L.F. Eastman
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
20.
AlGaN/GaN structures grown by HVPE: growth and characterization
机译:
HVPE生长的AlGaN / GaN结构:生长和表征
作者:
M.A. Mastro
;
D.V. Tsvetkov
;
A.I. Pechnikov
;
V.A. Soukhoveev
;
G.H. Gainer
;
A. Usikov
;
V. Dmitriev
;
B.Luo
;
F. Ren
;
K.H. Baik
;
S.J. Pearton
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
21.
Cathodoluminescence, Electroluminescence, and Degradation of ZnCdSe Quantum Well Light Emitting Diodes
机译:
ZnCdSe量子阱发光二极管的阴极发光,电致发光和降解
作者:
A. Yu. Nikiforov
;
G. S. Cargill III
;
S. P. Guo
;
M. C. Tamargo
;
Y.-C. Chen
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
22.
Effect of Si Layer in The ZnO Thin Films by Pulsed Laser Deposition
机译:
脉冲激光沉积对ZnO薄膜中硅层的影响
作者:
Hong Seong Kang
;
Jeong Seok Kang
;
Jae Won Kim
;
Sang Yeol Lee
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
23.
Er doped GaN by Gas Source Molecular Beam Epitaxy on GaN Templates
机译:
GaN模板上气源分子束外延生长掺Er的GaN
作者:
N. Rousseau
;
O. Briot
;
V. Ribes
;
R.L. Aulombard
;
RENIBEL network
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
24.
First AlGaN free-standing wafers
机译:
首款AlGaN独立式晶圆
作者:
Yu.V. Melnik
;
V.A. Soukhoveev
;
K.V. Tsvetkov
;
V.A. Dmitriev
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
25.
GaP-based MIS Capacitors Using a SiN Gate Dielectric
机译:
使用SiN栅极电介质的基于GaP的MIS电容器
作者:
A. Chen
;
J. Woodall
;
X.W. Wang
;
T.P. Ma
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
26.
FABRICATION AND CHARACTERIZATIONS OF ZnO AND ZnO:Mn NANOCRYSTALLINE THIN FILMS
机译:
ZnO和ZnO:Mn纳米晶薄膜的制备与表征
作者:
Yichun Liu
;
Dongxu Zhao
;
X. T. Zhang
;
Dezhen Shen
;
D.O. Henderson
;
R. Mu
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
27.
Challenges for High Temperature Silicon Carbide Electronics
机译:
高温碳化硅电子面临的挑战
作者:
C.-M. Zetterling
;
S.-M. Koo
;
E. Danielsson
;
W. Liu
;
S.-K. Lee
;
M. Domeij
;
H.-S. Lee
;
M. Ostling
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
28.
Investigation of Thin Film Growth of B_(12)As_2 by Chemical Vapor Deposition
机译:
化学气相沉积法研究B_(12)As_2的薄膜生长
作者:
R.Nagarajan
;
J.H.Edgar
;
J.Pomeroy
;
M. Kuball
;
T.Aselage
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
29.
Low-Temperature Operation of Green, Blue and UV InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diodes
机译:
绿,蓝和紫外InGaN / GaN多量子阱发光二极管的低温工作
作者:
X. A. Cao
;
S. F. LeBoeuf
;
J. L. Garrett
;
A. Ebong
;
L. B. Rowland
;
S. D. Arthur
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
30.
ZnO Thin Films Grown at Various Substrate Angles by Pulsed Laser Deposition
机译:
脉冲激光沉积在不同衬底角度生长的ZnO薄膜
作者:
Jeong Seok Kang
;
Hong Seong Kang
;
Jae Won Kim
;
Sang Yeol Lee
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
31.
Structural and Optical Properties of InGaN/GaN Multi-Quantum Well Structures with Different Indium Compositions
机译:
不同铟组成的InGaN / GaN多量子阱结构的结构和光学性质
作者:
Chang-Soo KIM
;
Sam-Kyu NOH
;
Kyuhan LEE
;
Sunwoon KIM
;
Jay P. SONG
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
32.
Time of flight of drifting electrons and holes in stabilized a-Se film
机译:
稳定a-Se膜中漂移电子和空穴的飞行时间
作者:
Dong-Gil Lee
;
Ji-Koon Park
;
Jang-Yong Choi
;
Jae-Hyung Kim
;
Sang-Hee Nam
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
33.
The Effects of Sapphire Surface Treatments and Nitridation on GaN Nucleation Grown using Hydride Vapor Phase Epitaxy
机译:
蓝宝石表面处理和氮化对氢化物气相外延生长的GaN成核的影响
作者:
F. Dwikusuma
;
T. F. Kuech
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
34.
Statistical Analysis of Micropipe Defect Distributions in Silicon Carbide Crystals
机译:
碳化硅晶体中微管缺陷分布的统计分析
作者:
Troy Elkington
;
Ejiro Emorhokpor
;
Tom Kerr
;
John Chen
;
Kevin Essary
;
Mike Golab
;
Richard H. Hopkins
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
35.
Stimulated Emission at 258 nm in AlN/AlGaN Quantum Wells Grown on Bulk AlN Substrates
机译:
在块状AlN衬底上生长的AlN / AlGaN量子阱中258 nm处的受激发射
作者:
R. Gaska
;
Q. Fareed
;
G. Tamulaitis
;
I. Yilmaz
;
M. S. Shur
;
C. Chen
;
J. Yang
;
E. Kuokstis
;
A. Khan
;
J. C. Rojo
;
L. J. Schowalter
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
36.
High-Speed Solar-Blind AlGaN Schottky Photodiodes
机译:
高速太阳能盲AlGaN肖特基光电二极管
作者:
Necmi Biyikli
;
Ibrahim Kimukin
;
Tolga Kartaloglu
;
Orhan Aytuer
;
Ekmel Ozbay
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
37.
MOCVD Growth of AlN/GaN DBR Structure under Various Ambient Conditions
机译:
不同环境条件下AlN / GaN DBR结构的MOCVD生长
作者:
H. H. Yao
;
C. F. Lin
;
S. C. Wang
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
38.
Self-assembled InP Quantum Dot -TiO_2 Solid Graetzel Solar Cell
机译:
自组装InP量子点-TiO_2固态Graetzel太阳能电池
作者:
Tingying Zeng
;
Elizabeth Gladwin
;
Richard O. Claus
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
39.
Modeling of Thermal Conductivity of Polycrystalline GaN Films
机译:
多晶GaN薄膜导热系数的建模
作者:
D. Kotchetkov
;
A. A. Balandin
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
40.
Modeling of Nitride Semiconductor Based Double Heterostructure Tunnel Diodes
机译:
基于氮化物半导体的双异质结构隧道二极管的建模
作者:
M. Moret
;
S. Ruffenach
;
O. Briot
;
R.L. Aulombard
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
41.
Modulation of Energy Band Gap of ZnO Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition
机译:
脉冲激光沉积生长ZnO薄膜的能带隙的调制
作者:
Sang Yeol Lee
;
Yuan Li
;
Jang-Sik Lee
;
J. K. Lee
;
M. Nastasi
;
S.A. Crooker
;
Q.X. Jia
;
Hong-Seong Kang
;
Jeong-Seok Kang
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
42.
MOCVD ZINC OXIDE FILMS FOR WIDE BANDGAP APPLICATIONS
机译:
用于宽禁带应用的MOCVD氧化锌膜
作者:
C.E. Rice
;
G.S. Tompa
;
L.G. Provost
;
N. Sbrockey
;
J. Cuchiaro
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
43.
Low Temperature Growth Mechanism of GaN Crystal by Hydride Vapor Phase Epitaxy
机译:
氢化物气相外延法生长GaN晶体的低温机理
作者:
Hai-Ping Liu
;
In-Gann Chen
;
Jenq-Dar Tsay
;
Wen-Yueh Liu
;
Yih-Der Guo
;
Jung Tsung Hsu
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
44.
Influence of Ion Energy on the Reactive Ion Etching Induced Optical Damage of Gallium Nitride
机译:
离子能量对反应离子刻蚀引起的氮化镓光学损伤的影响
作者:
Suk Ing Liem
;
Roger J. Reeves
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
45.
Atomic and electronic structure of boron-doped diamond grain boundaries studied by ARHVTEM and ab-initio calculation
机译:
用ARHVTEM和从头算计算研究掺硼金刚石晶界的原子和电子结构
作者:
Hiroyuki Togawa
;
Hidemki Ichinose
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
46.
Analysis of Leakage Currents in AlGaN/GaN Current Aperture Vertical Electron Transistors (CAVETs)
机译:
AlGaN / GaN电流孔径垂直电子晶体管(CAVET)中的泄漏电流分析
作者:
Ilan Ben-Yaacov
;
Yee-Kwang Seck
;
Steven P. DenBaars
;
Evelyn L. Hu
;
Umesh K. Mishra
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
47.
Abnormal rectifying characteristics of a Mg doped GaN Schottky diode
机译:
Mg掺杂的GaN肖特基二极管的异常整流特性
作者:
Jae Wook Kim
;
Byung Kyu Cho
;
Jhang Woo Lee
;
Phil W. Yu
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
48.
Cathodoluminescence Study of Gadolinium-Doped Yttrium Oxide Thin Films Deposited By Radio-Frequency Magnetron Sputtering
机译:
射频磁控溅射沉积Ga掺杂氧化钇薄膜的阴极发光研究
作者:
J. D. Fowlkes
;
P. D. Rack
;
R. Bansal
;
J. M. Fitz - Gerald
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
49.
In Situ SEM Observations and Electrical Measurements During the Annealing of Si/Ni Contacts to SiC
机译:
Si / Ni触点与SiC退火期间的原位SEM观察和电测量
作者:
Matthew H. Ervin
;
Kenneth A. Jones
;
Michael A. Derenge
;
Tsvetanka S. Zheleva
;
Mark C. Wood
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
50.
HVPE-GROWN AlGaN/GaN HEMTs
机译:
HVPE-GROWN AlGaN / GaN HEMT
作者:
B. Luo
;
F. Ren
;
M. A. Mastro
;
D. Tsvetkov
;
A. Pehnikov
;
V. Soukhoveev
;
V. Dmitriev
;
K. H. Baik
;
S. J. Pearton
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
51.
Investigation of epitaxial GaN films by conductive atomic force microscopy
机译:
外延GaN薄膜的导电原子力显微镜研究
作者:
S. Dogan
;
J. Spradlin
;
J. Xie
;
A. A. Pomarico
;
R. Cingolani
;
D. Huang
;
J. Dickinson
;
A. A. Baski
;
H. Morkoc
;
R. Molnar
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
52.
Electrical characterization of defects introduced in 4H-SiC during high energy proton irradiation and their annealing behavior
机译:
高能质子辐照过程中4H-SiC中引入的缺陷的电学特性及其退火行为
作者:
M. Ahoujja
;
H. C. Crocket
;
M. B. Scott
;
Y.K. Yeo
;
R. L. Hengehold
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
53.
Electron Injection-Induced Effects in GaN: Physics and Applications
机译:
GaN中电子注入引起的效应:物理和应用
作者:
Leonid Chernyak
;
William Burdett
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
54.
GaN Epitaxial Growth by Molecular Beam Epitaxy utilizing AlGaN Buffer Layer with Nanopipes
机译:
利用具有纳米管的AlGaN缓冲层通过分子束外延生长GaN外延生长
作者:
F. Yun
;
L. He
;
M. A. Reshchikov
;
H. Morkoc
;
J. Jasinski
;
Z. Liliental-Weber
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
55.
GaN Growth on Si Using ZnO Buffer Layer
机译:
使用ZnO缓冲层在Si上生长GaN
作者:
K.C. Kim
;
S.W. Kang
;
O. Kryliouk
;
T.J. Anderson
;
D. Craciun
;
V. Craciun
;
R.K. Singh
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
56.
Experimental evaluation of a-Se flat-panel X-ray detector for digital radiography
机译:
用于数字射线照相的a-Se平板X射线探测器的实验评估
作者:
Jang-Yong Choi
;
Ji-Koon Park
;
Dong-Gil Lee
;
Sang-Sik Kang
;
Sang-Hee Nam
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
57.
Characterization of high quality continuous GaN films grown on Si-doped cracked GaN template
机译:
硅掺杂裂纹GaN模板上生长的高质量连续GaN膜的表征
作者:
C. B. Soh
;
J. Zhang
;
D. Z. Chi
;
S. J. Chua
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
58.
Effects of Pre-Process Temperature Stressing on AlGaN/GaN HEMT Structures
机译:
预处理温度应力对AlGaN / GaN HEMT结构的影响
作者:
Mark J. Yannuzzi
;
Neil A. Moser
;
Robert C. Fitch
;
Gregg H. Jessen
;
James K. Gillespie
;
Glen D. Via
;
Antonio Crespo
;
Thomas J. Jenkins
;
David C. Look
;
Donald C. Reynolds
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
59.
Effect of Mn Doping in ZnO Thin Films Deposited by Pulsed Laser Deposition
机译:
锰掺杂对脉冲激光沉积ZnO薄膜的影响
作者:
P. Bhattacharya
;
Rasmi R. Das
;
J. Nieves
;
Yu. I. Yuzyuk
;
Ram S. Katiyar
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
60.
4H-SIC DMOSFETS FOR HIGH FREQUENCY POWER SWITCHING APPLICATIONS
机译:
用于高频功率开关应用的4H-SIC DMOSFET
作者:
Sei-Hyung Ryu
;
Anant K. Agarwal
;
James Richmond
;
John W. Palmour
会议名称:
《Symposium on New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
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