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Comparison study of nucleation and growth characteristics of chemical-vapor-deposited diamond films on CoSi2(001) and Si(001)

机译：CoSi2（001）和Si（001）上化学气相沉积金刚石薄膜成核和生长特性的比较研究

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Epitaxial CoSi2 (001) layers, deposited on Si(001) substrates by molecular beam allotaxy, were used as substrates for diamond deposition in order to realize applications. The nucleation and textured growth of diamond films were compared with those on the Si(001) substrates. The results indicate that in a microwave-plasma chamber diamond can be nucleated with a higher density on CoSi2 at lower temperatures using a bias-enhanced method. High-quality [001]-textured diamond films can be synthesized on CoSi2 (001) using the [001]-textured growth conditions. So far, epitaxial growth of diamond on CoSi2 cannot be observed. Statistically, a rotating angle distribution of diamond grains around the [001] axis in a [001]-textured film shows, however, preferred in-plane orientations of 13 degrees, 22 degrees, 45 degrees, and 77 degrees relative to the CoSi2 [011] axis. The structural and chemical analyses show that no Co and Si element diffusion from the CoSi2 substrate into the diamond film can be detected. The films grown on CoSi2 have similar crystal quality to that of epitaxial films deposited directly on Si. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0021-8979(00)10203-8].
机译：为了实现应用，将通过分子束同素沉积法沉积在Si（001）衬底上的外延CoSi2（001）层用作金刚石沉积衬底。将金刚石薄膜的成核和织构生长与Si（001）衬底上的成核和织构生长进行了比较。结果表明，在微波等离子体室中，可以使用偏置增强方法在较低温度下在CoSi2上以更高的密度使金刚石成核。可以使用[001]纹理的生长条件在CoSi2（001）上合成高质量[001]纹理的金刚石膜。到目前为止，还没有观察到金刚石在CoSi2上外延生长。从统计学上讲，[001]纹理化膜中金刚石晶粒围绕[001]轴的旋转角度分布显示相对于CoSi2 [13]，22度，45度和77度的优选面内取向。 011]轴。结构和化学分析表明，无法检测到Co和Si元素从CoSi2衬底扩散到金刚石膜中。在CoSi2上生长的薄膜具有与直接沉积在Si上的外延薄膜相似的晶体质量。 （C）2000美国物理研究所。 [S0021-8979（00）10203-8]。

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