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Phase formation and thermal stability of ultrathin nickel-silicides on Si(100)

机译：si（100）上超薄镍硅化物的相形成和热稳定性

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The solid-state reaction and agglomeration of thin nickel-silicide films was investigated from sputter deposited nickel films (1-10 nm) on silicon-on-insulator (100) substrates. For typical anneals at a ramp rate of 3 degrees C/s, 5-10 nm Ni films react with silicon and form NiSi, which agglomerates at 550-650 degrees C, whereas films with a thickness of 3.7 nm of less were found to form an epitaxylike nickel-silicide layer. The resulting films show an increased thermal stability with a low electrical resistivity up to 800 degrees C.

机译：从绝缘体上硅（100）衬底上的溅射沉积镍膜（1-10 nm）研究了硅化镍薄膜的固态反应和团聚。对于以3摄氏度/秒的升温速率进行的典型退火，5-10 nm的镍膜会与硅反应并形成NiSi，后者会在550-650摄氏度的温度下发生团聚，而发现厚度小于3.7 nm的膜会形成外延状的硅化镍层。所得薄膜显示出高达800摄氏度的低电阻率，具有更高的热稳定性。

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作者
De Keyser Koen; Van Bockstael Charlotte; Vanmeirhaeghe Roland; Detavernier Christophe; Verleysen E; Bender H; Vandervorst W; Jordan-Sweet J; Lavoie C;
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作者单位

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年度 2010
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