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【2h】

Characterisation of anisotropic etching in KOH using network etch rate function model: influence of an applied potential in terms of microscopic properties

机译：使用网络蚀刻速率函数模型表征KOH中的各向异性蚀刻：在微观性质方面对施加电位的影响

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Using the network etch rate function model, the anisotropic etch rate of p-type single crystal silicon was characterised in terms of microscopic properties including step velocity, step and terrace roughening. The anisotropic etch rate data needed have been obtained using a combination of 2 wagon wheel patterns on different substrate and 1 offset trench pattern. Using this procedure the influence of an applied potential has been investigated in terms of microscopic properties. Model parameter trends show a good correlation with chemical/electrochemical reaction mechanism and mono- and dihydride terminated steps reactivity difference. Results also indicate a minimum in (111) terrace roughening which results in a peak in anisotropic ratio at the non-OCP applied potential of −1250 mV vs OCP.
机译：使用网络刻蚀速率函数模型，通过微观特性（包括阶跃速度，阶跃和平台粗糙化）来表征p型单晶硅的各向异性刻蚀速率。使用不同基板上的2个车轮图案和1个偏移沟槽图案的组合已获得所需的各向异性蚀刻速率数据。使用该方法，已从微观性质方面研究了施加电势的影响。模型参数趋势显示出与化学/电化学反应机理以及一氢化物和二氢化物终止步骤的反应性差异具有良好的相关性。结果还表明（111）平台粗糙化的最小值，导致在非OCP施加电势与OCP相比为-1250 mV时，各向异性比达到峰值。

著录项

  • 作者

    Nguyen Q.D.; Elwenspoek M.;

  • 作者单位
  • 年度 2006
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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