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模拟复杂电磁环境的高压双指数波脉冲源

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本发明属于强电磁脉冲技术领域，具体涉及一种模拟复杂电磁环境下的高压双指数波脉冲源。所述高压双指数波脉冲源包括：直流高压发生装置G、充电限流电阻R1、储能电容C1、气动高压开关K、水电阻R2和放电电容C2；其中，Z为放电回路中的寄生阻抗，与水电阻R2、放电电容C2一起构成放电回路；本发明技术方案采用高电压等级的电容放电双指数波脉冲源方案，产生具有丰富的高频成份及低频直流成分的高压双指数波脉冲信号。高压双指数波脉冲信号作为注入源向电子系统注入不同参数的脉冲电流，验证电子系统的电磁脉冲效应分析情况，对电子系统各端口的毁伤电流阈值进行摸底；强电磁脉冲加固后，通过脉冲电流注入试验验证加固后的防护性能。

著录项

公开/公告号CN109450413A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-08

原文格式PDF
申请/专利权人北京京航计算通讯研究所;
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申请/专利号CN201811317324.2
发明设计人戴弃君;李昆;寇科男;高昕;戴弃军;常永明;贾文静;金晗冰;刘冬;
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申请日2018-11-07
分类号
代理机构中国兵器工业集团公司专利中心;
代理人周恒
地址 100074 北京市丰台区云岗北区西里一号院
入库时间 2024-02-19 07:45:31

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-02

实质审查的生效 IPC(主分类):H03K3/57 申请日:20181107

实质审查的生效
2019-03-08

公开

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