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一种用扫描电化学显微镜研究氨基功能化二氧化硅纳米通道选择渗透性的方法

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本发明公开了一种用扫描电化学显微镜研究氨基功能化二氧化硅纳米通道选择渗透性的方法，该方法包括，将SiO2纳米腔阵列电极浸泡在3‑氨丙基三甲氧基硅烷的丙酮溶液中，静置，清洗，烘干，得到NH2‑SiO2/ITO电极；扫描电化学显微镜采用四电极体系，SECM探针为工作电极1，NH2‑SiO2/ITO电极为工作电极2，在样品溶液中将工作电极1向工作电极2移动，得到电流随距离变化的渐近曲线；再由渐近曲线得出样品的在氨基功能化的二氧化硅纳米通道中的扩散速率常数。采用本发明的方法可以测定样品在不同条件下在氨基功能化的二氧化硅纳米通道的渗透性，对认识离子或分子选择渗透机理具有重要意义。

著录项

公开/公告号CN109580452A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-05

原文格式PDF
申请/专利权人西北师范大学;
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申请/专利号CN201811470013.X
发明设计人卢小泉;王铁英;张银潘;孙和水;吴艳霞;魏丽萍;李金芳;胥亚丽;陕多亮;陈晶;韩振刚;
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申请日2018-11-30
分类号G01N15/08(20060101);
代理机构11249 北京中恒高博知识产权代理有限公司;
代理人钟国
地址 730070 甘肃省兰州市安宁区安宁东路805号
入库时间 2024-02-19 08:55:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-30

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N15/08 申请日:20181130

实质审查的生效
2019-04-05

公开

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