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后段清洗工艺用化学混合溶液及应用其的后段清洗工艺

摘要

本发明涉及一种后段清洗工艺用化学混合溶液及应用其的后段清洗工艺,涉及半导体制造工艺,在对半导体器件进行刻蚀工艺后,应用包括稀释氢氟酸和硫酸的后段清洗工艺用化学混合溶液对半导体器件进行后段清洗工艺,以去除所述刻蚀工艺后的副产物,以达到有效去除刻蚀后残留缺陷并减少材料损失的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN109722351A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201811630118.7

  • 发明设计人 吕佳韦;

    申请日2018-12-29

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭四华

  • 地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

  • 入库时间 2024-02-19 09:00:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):C11D7/08 申请日:20181229

    实质审查的生效

  • 2019-05-07

    公开

    公开

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