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一种热等静压原位合成的SiC-TiC复相陶瓷

摘要

为了改善粉末合金的硬度,耐磨性,设计了一种热等静压原位合成的SiC‑TiC复相陶瓷。采用纳米级SiC粉末,Si粉末,C粉和TiH2粉为原料,所制得的热等静压原位合成的SiC‑TiC复相陶瓷,其硬度,致密化程度,抗弯强度都得到大幅提升。其中,以SiC,Ti,C粉末为原料的原位合成反应无副反应发生,更易得到成分符合预期,致密度良好且性能优秀的SiC‑TiC复相陶瓷。以SiC,Ti,C粉末为原料的热等静压原位合成样品,热等静压压力从80MPa提高到140MPa,材料的致密度,三点弯曲强度,硬度以及断裂韧性均得到一定程度的提高。复相陶瓷具有最好的致密度,硬度,三点弯曲强度以及良好的断裂韧性。本发明能够为制备高性能的SiC‑TiC复相陶瓷提供一种新的生产工艺。

著录项

  • 公开/公告号CN109836159A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 沈阳东青科技有限公司;

    申请/专利号CN201711208576.7

  • 发明设计人 高明超;

    申请日2017-11-27

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 110000 辽宁省沈阳市浑南区文溯街19-1号205室25号工位

  • 入库时间 2024-02-19 09:44:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-04

    公开

    公开

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