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用于先进的集成电路结构制造的鳍切口和鳍修整隔离

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本发明公开了用于先进的集成电路结构制造的鳍切口和鳍修整隔离。本公开的实施例属于以下的领域：先进的集成电路结构制造，并且具体为10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构。在示例中，一种集成电路结构包括鳍。第一隔离结构将所述鳍的第一部分的第一末端与所述鳍的第二部分的第一末端隔开，所述鳍的第一部分的第一末端具有一深度。栅极结构在所述鳍的第一部分的顶部之上并且与所述鳍的第一部分的一区域的侧壁侧向相邻。第二隔离结构在所述鳍的第一部分的第二末端之上，所述鳍的第一部分的第二末端具有与所述鳍的第一部分的第一末端的深度不同的深度。

著录项

公开/公告号CN109860179A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-06-07

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN201811306753.X
发明设计人 T.加尼;B.何;C.W.沃德;M.L.哈滕多夫;C.P.奥思;
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申请日2018-11-05
分类号H01L27/088(20060101);H01L27/092(20060101);H01L21/762(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L21/8238(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人陈晓;申屠伟进
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 11:09:28

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法律状态
2019-06-07

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1. 用于先进的集成电路结构制造的鳍切口和鳍修整隔离 [P] . 中国专利： CN109860179A . 2019-06-07
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5. Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication [P] . 德国专利： DE102018126911A1 . 2019-06-06

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