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基于外延生长InP壳层发光的无镉量子点的制备方法

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摘要

本发明公开了一种基于外延生长InP壳层发光的无镉量子点的制备方法，以宽带隙量子点为核，外延均匀生长窄带隙的InP壳层作为发光中心，并继续宽带隙梯度壳层的包覆。所制备量子点能够通过调节InP壳层厚度得到相应发光峰位，且其具有较窄的发射光谱，发光效率和稳定性也有了显著的提高。ZnSe量子点的尺寸分布非常均一，半峰宽窄，在ZnSe核的基础上进行窄带隙InP发光层的包覆不仅能够有效保证量子点的尺寸均一性，还便于通过控制InP的厚度来精确调控发光峰位。因此，本发明外延生长窄带隙InP壳层发光且能保持窄半峰宽的方法，在磷化铟壳层基础上继续包覆梯度壳层，进一步提高了无镉量子点的量子产率和稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN109971481A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN201910196909.1

  • 发明设计人 曹璠;杨绪勇;申飘阳;王晓俊;杨珩;

    申请日2019-03-15

  • 分类号

  • 代理机构上海上大专利事务所(普通合伙);

  • 代理人顾勇华

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2024-02-19 11:18:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):C09K11/88 申请日:20190315

    实质审查的生效

  • 2019-07-05

    公开

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