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磁壁利用型模拟存储元件、磁壁利用型模拟存储器、非易失性逻辑电路及磁神经元件

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本发明的一个实施方式的磁壁利用型模拟存储元件具备磁化沿第一方向取向的磁化固定层(1)、设置于磁化固定层(1)的一面的非磁性层(2)、相对于磁化固定层(1)夹着非磁性层(2)设置的磁壁驱动层(3)、向磁壁驱动层(3)供给沿第一方向取向的磁化的第一磁化供给单元(4)及供给沿与第一方向相反的第二方向取向的磁化的第二磁化供给单元(5)，第一磁化供给单元(4)及第二磁化供给单元(5)中至少一方是与磁壁驱动层(3)相接且沿相对于磁壁驱动层(3)交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线。

著录项

公开/公告号CN109643690A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-16

原文格式PDF
申请/专利权人 TDK株式会社;
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申请/专利号CN201780052563.7
发明设计人佐佐木智生;柴田龙雄;
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申请日2017-12-26
分类号
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司;
代理人杨琦
地址日本东京都
入库时间 2024-02-19 11:18:46

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-05-10

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8239 申请日:20171226

实质审查的生效
2019-04-16

公开

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