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用于对半导体材料的层进行退火的设备、对半导体材料的层进行退火的方法以及平板显示器

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本发明提供了用于对半导体材料的层，特别是非晶硅或IGZO进行退火的方法和设备。在一种布置中，设备包括产生激光束的激光源。光束扫描装置以选择性地辐射半导体材料的层的多个区域的方式相对于半导体材料的层扫描激光束或由激光束产生的多个子光束并由此产生相应的多个退火的半导体材料的区域，特别是相应的多个多晶硅或退火的IGZO的区域。退火的半导体材料的区域中的每一个与其他退火的半导体材料的区域中的所有区域分隔开。

著录项

公开/公告号CN109643644A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-16

原文格式PDF
申请/专利权人万佳雷射有限公司;
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申请/专利号CN201780051126.3
发明设计人 P·T·路姆斯比;大卫·托马斯·埃德蒙·迈尔斯;
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申请日2017-08-16
分类号
代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司;
代理人徐川
地址英国牛津
入库时间 2024-02-19 11:23:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-05-10

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/20 申请日:20170816

实质审查的生效
2019-04-16

公开

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