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单电子晶体管(SET)和基于SET的QUBIT检测器设备

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本文公开的是单电子晶体管(SET)装置以及相关方法和装置。在一些实施例中，一种SET装置可包括：第一和第二源极/漏极(S/D)电极；多个岛，被布置在第一和第二S/D电极之间；和介电材料，被布置在所述岛的相邻岛之间，布置在第一S/D电极和相邻的所述岛中的岛之间，并且布置在第二S/D电极和相邻的所述岛中的岛之间。

著录项

公开/公告号CN109643730A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-16

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN201680088879.7
发明设计人 H.C.乔治;J.S.克拉克;
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申请日2016-09-30
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人黄涛
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 11:23:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/775 申请日:20160930

实质审查的生效
2019-04-16

公开

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