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火花等离子体烧结的聚晶金刚石复合片

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摘要

本公开涉及通过火花等离子体烧结而共价键合到基材的聚晶金刚石、以及使聚晶金刚石与基材共价键合的方法。火花等离子体烧结从所述聚晶金刚石中以及可选地还从所述基材中的孔隙中发现的反应气体来产生等离子体。所述等离子体在所述孔隙中形成碳化物结构，所述碳化物结构共价键合到所述基材。

公开/公告号CN110153422A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-23

原文格式PDF
申请/专利权人哈利伯顿能源服务公司;
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申请/专利号CN201910520088.2
发明设计人梁齐;W·B·阿特金斯;
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申请日2015-08-05
分类号B22F3/105(20060101);B22F7/06(20060101);C22C29/08(20060101);E21B10/46(20060101);
代理机构72003 隆天知识产权代理有限公司;
代理人黄艳;聂慧荃
地址美国得克萨斯州
入库时间 2024-02-19 12:22:45

1. 火花等离子体烧结的聚晶金刚石复合片 [P] . 中国专利： CN110153422A . 2019-08-23
2. 火花等离子体烧结的聚晶金刚石 [P] . 中国专利： CN107810071A . 2018-03-16
3. METHODS OF FORMING SILICON CARBIDE BY SPARK PLASMA SINTERING, METHODS OF FORMING ARTICLES INCLUDING SILICON CARBIDE BY SPARK PLASMA SINTERING, AND RELATED STRUCTURES [P] . 美国专利： US2017369381A1 . 2017-12-28

机译：通过火花等离子体烧结形成碳化硅的方法，通过火花等离子体烧结形成包括碳化硅的制品的方法以及相关结构
4. Spark plasma sintering method, crown material manufacturing method, spark plasma sintering apparatus [P] . 日本专利： JPWO2016035461A1 . 2017-06-15

机译：火花等离子体烧结方法，胎冠材料制造方法，火花等离子体烧结装置
5. SPARK PLASMA SINTERING METHOD, CROWN MATERIAL PRODUCTION METHOD, AND SPARK PLASMA SINTERING DEVICE [P] . 世界知识产权组织专利： WO2016035461A1 . 2016-03-10

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